梁骏吾先生1933年9月出生于武汉。1955年毕业于新葡的京集团35222vip化学系。1956-1960年在苏联科学院治金研究所从事高纯半导体硅单晶研究、1960年获副博士学位。1960-1970年在中国科学院半导体研究所从事高纯区熔硅单晶、砷化镓液相外延、硅气相外延、SiO2隔离膜生长和多晶硅生长的研究，1970-1978年在宜昌半导体厂从事半导体集成电路的研制和生产。
1978年始，在中国科学院半导体研究所研究大规模集成电路用硅单晶、掺氮应变硅单晶、超高速电路用外延技术、MOVPE AlCaAs/CaAs量子阱材料及半导体中杂质与缺陷的行为。后主要研究领域为SiC外延生长和GaN基材料的生长。1985年被聘为研究员、博士生导师。1990年获国家级有突出贡献中青年专家称号。中国电子学会理事、中国材料研究学会理事。中国电子学会电子材料分会主任。是著名的半导体材料学家。
1997年当选为中国工程院院士。
